loader
← Каталог

MJD112-1G Биполярный транзистор

,

NPN, 100 В, 25 МГц, 20 Вт, 2 А, 200 hFE

MJD112-1G

Внешний вид товара может отличаться от представленного

По запросу

ON Semiconductor MJD112-1G MJD112-1G
30-45 дней со склада #0727

13 шт. доступно В наличии на складе #0727.
Срок поставки со склада – 30-45 дней

Запросить

  Техническая документация: MJD112-1G.pdf 147.3kb

Частота перехода

25MHz

Стандарт для использования в автомобильных устройствах и системах

AEC-Q101

Тип корпуса транзистора

TO-251

Особо опасные вещества

Lead (27-Jun-2018)

Напряжение коллектор-эмиттер

100V

Рассеиваемая мощность

20W

Постоянный ток коллектора

2A

MSL

MSL 1 - Unlimited

Макс. рабочая температура

150°C

Коэффициент усиления по току

200hFE

Количество контактов

3Pins

Полярность транзистора

NPN

Ниже представлены все возможные варианты поставки для MJD112-1G с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить MJD112-1G ON SEMICONDUCTOR Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 25 МГц, 20 Вт, 2 А, 200 hFE можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

161.40 7
Изображение Склад Производитель / наименование / описание Цены Доступность Основная информация
#0727
Поставка:
30 - 45 дней
ON Semiconductor
MJD112-1G

#MJD112-1G

TO-251

Цены по запросу

13 шт. В наличии на складе #0727.
Срок поставки со склада – 30-45 дней

Поставка: 30-45 дней

ON Semiconductor
MJD112-1G

#MJD112-1G


TO-251

Цены по запросу

13 шт. В наличии на складе #0727.
Срок поставки со склада – 30-45 дней

Поставка: 30-45 дней

#0201
Поставка:
40 - 60 дней
ON Semiconductor
MJD112-1G

#2727978

Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 25 МГц, 20 Вт, 2 А, 200 hFE

1+ 178,56 ₽

10+ 143,08 ₽

100+ 93,13 ₽

500+ 77,96 ₽

1000+ 59,05 ₽

По запросу

Ожидается поставка

ON Semiconductor
MJD112-1G

#2727978


Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 25 МГц, 20 Вт, 2 А, 200 hFE

1+ 178,56 ₽

10+ 143,08 ₽

100+ 93,13 ₽

500+ 77,96 ₽

1000+ 59,05 ₽

По запросу

Ожидается поставка

#0205
Поставка:
40 - 60 дней
ON Semiconductor
MJD112-1G

1+ 161,41 ₽

10+ 141,18 ₽

100+ 108,27 ₽

500+ 85,59 ₽

1000+ 70,65 ₽

По запросу

Ожидается поставка

ON Semiconductor
MJD112-1G None

1+ 161,41 ₽

10+ 141,18 ₽

100+ 108,27 ₽

500+ 85,59 ₽

1000+ 70,65 ₽

По запросу

Ожидается поставка

#0206
Поставка:
40 - 60 дней
ON Semiconductor
MJD112-1G

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

ON Semiconductor
MJD112-1G None

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

#0206
Поставка:
40 - 60 дней
ON Semiconductor
MJD112-1G
Транзисторы Дарлингтона 2A 100V Bipolar Power NPN

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

ON Semiconductor
MJD112-1G Транзисторы Дарлингтона 2A 100V Bipolar Power NPN

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

#0209
Поставка:
40 - 60 дней
ON Semiconductor
MJD112-1G

#ONSMJD1121G

DPAK3-4/BIPOLAR POWER DPAK NPN 2A 100V

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 75 шт.
Кратность: 75 шт.

ON Semiconductor
MJD112-1G

#ONSMJD1121G


DPAK3-4/BIPOLAR POWER DPAK NPN 2A 100V

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 75 шт.
Кратность: 75 шт.

#0214
Поставка:
20 - 30 дней
ON Semiconductor
MJD112-1G

#MJD112-001

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 75 шт.

ON Semiconductor
MJD112-1G

#MJD112-001


None

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 75 шт.