SIS892ADN-T1-GE3 МОП-транзистор

N Канал, 28 А, 100 В, 0.027 Ом, 10 В, 1.5 В

Внешний вид товара может отличаться от представленного

VISHAY()

VISHAY SILICONIX

VISHAY

VISHAY SEMICONDUCTORS

По запросу

Vishay SIS892ADN-T1-GE3 SIS892ADN-T1-GE3

30-45 дней со склада #0708

3000 шт. доступно В наличии на складе #0708.
Срок поставки со склада – 30-45 дней

Запросить

Техническая документация: SIS892ADN-T1-GE3.pdf

Сопротивление при включенном состоянии	0.027ohm
Диапазон рабочих температур	-55°C to +150°C
Тип корпуса транзистора	PowerPAK 1212
Макс. рабочая температура	150°C
Рассеиваемая мощность	52W
Напряжение источника стока	100V
MSL	MSL 1 - Unlimited
Испытательное напряжение	10V
Непрерывный ток стока	28A
Мин. рабочая температура	-55°C
Количество контактов	8Pins
Полярность транзистора	N Channel
Пороговое напряжение	1.5V

Ниже представлены все возможные варианты поставки для SIS892ADN-T1-GE3 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить SIS892ADN-T1-GE3 VISHAY(), VISHAY SILICONIX, VISHAY, VISHAY SEMICONDUCTORS МОП-транзистор, N Канал, 28 А, 100 В, 0.027 Ом, 10 В, 1.5 В можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

243.18 7

Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
#0708 Поставка: 30 - 45 дней	Vishay SIS892ADN-T1-GE3 #SIS892ADN-T1-GE3 POWERPAK-1212-8	Цены по запросу	3000 шт. В наличии на складе #0708. Срок поставки со склада – 30-45 дней Поставка: 30-45 дней	Запросить	Vishay SIS892ADN-T1-GE3 #SIS892ADN-T1-GE3 POWERPAK-1212-8 Цены по запросу 3000 шт. В наличии на складе #0708. Срок поставки со склада – 30-45 дней Поставка: 30-45 дней Запросить
#0709 Поставка: 30 - 45 дней	VISHAY() SIS892ADN-T1-GE3 #SIS892ADN-T1-GE3	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	VISHAY() SIS892ADN-T1-GE3 #SIS892ADN-T1-GE3 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0201 Поставка: 40 - 60 дней	Vishay SIS892ADN-T1-GE3 #2283695 МОП-транзистор, N Канал, 28 А, 100 В, 0.027 Ом, 10 В, 1.5 В	1+ 247,98 ₽ 10+ 190,25 ₽ 100+ 135,42 ₽ 500+ 115,08 ₽ 1000+ 95,32 ₽	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Vishay SIS892ADN-T1-GE3 #2283695 МОП-транзистор, N Канал, 28 А, 100 В, 0.027 Ом, 10 В, 1.5 В 1+ 247,98 ₽ 10+ 190,25 ₽ 100+ 135,42 ₽ 500+ 115,08 ₽ 1000+ 95,32 ₽ По запросу Ожидается поставка Запросить
#0205 Поставка: 40 - 60 дней	Vishay Siliconix SIS892ADN-T1-GE3	1+ 243,18 ₽ 10+ 216,50 ₽ 100+ 168,79 ₽ 500+ 139,43 ₽ 1000+ 110,08 ₽ 3000+ 110,08 ₽	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Vishay Siliconix SIS892ADN-T1-GE3 None 1+ 243,18 ₽ 10+ 216,50 ₽ 100+ 168,79 ₽ 500+ 139,43 ₽ 1000+ 110,08 ₽ 3000+ 110,08 ₽ По запросу Ожидается поставка Запросить
#0205 Поставка: 40 - 60 дней	Vishay Siliconix SIS892ADN-T1-GE3	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Vishay Siliconix SIS892ADN-T1-GE3 None Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0206 Поставка: 40 - 60 дней	Vishay Semiconductors SIS892ADN-T1-GE3 МОП-транзистор 100V 33mOhm@10V 28A N-Ch MV T-FET	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Vishay Semiconductors SIS892ADN-T1-GE3 МОП-транзистор 100V 33mOhm@10V 28A N-Ch MV T-FET Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0210 Поставка: 40 - 60 дней	Vishay SIS892ADN-T1-GE3 #85412900 Trans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 3000 шт. Кратность: 3000 шт.	Запросить	Vishay SIS892ADN-T1-GE3 #85412900 Trans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 3000 шт. Кратность: 3000 шт. Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽